Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper reports on the design, implementation, and characterization of a trench-filled capacitor in complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) grade silicon. In order to achieve high capacitance value in MOS capacitor, trench technology is applied to improved capacitance. The simulation executed by using Synopsys's Sentaurus TCAD. A C-V measurement was done between two different structures...
A simple method is reported for fabrication of AlN/GaN MOS-HEMTs. Ultra-thin Al2O3, which is formed using thermal oxidation of evaporated Al, was used for surface passivation and as a gate dielectric. Prior to formation of Al2O3, the Al protects the very sensitive AlN epilayer from exposure to processing liquid chemicals. Fabricated two-finger AlN/GaN MOS-HEMTs with 3 m gate length and 200 m gate...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.