Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Unlike HBM and MM, CDM robustness is highly dependent on IC layout and packaging. Therefore, IC companies mimic IC IO rings on IO-TEG test chips to select the most appropriate CDM protection concepts (correlation from IO-TEG to final IC??s). This publication highlights pitfalls for this approach. Ensuring consistent substrate and Vss connections drastically improve the correlation.
New insights regarding the interpretation of the VFTLP IV-curve and the fast transient current and voltage waveform data are presented. These insights are used to determine the design factors affecting the turn-on time and triggering behavior of SCRs in a 90 nm bulk CMOS technology.
This paper reviews the application of SCR-based ESD protection circuits in advanced CMOS/SOI technologies. The devices are integrated in a flexible modular circuit design technique allowing for independent optimization of key characteristics. The IC application focus is on sensitive IOs, i.e. (ultra-)thin GOX input protection and robust output driver design using SCRs. Moreover, SCR transfer and integration...
This paper introduces an SCR based ESD protection design for SOI technologies. It is explained how efficient SCR devices can be constructed in SOI. These devices outperform MOS devices by about 4 times. Experimental data from 65 nm and 130 nm SOI is presented to support this.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.