The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
W artykule zaprezentowano wyniki pomiarów charakterystyk elastycznego panelu fotowoltaicznego wytworzonego w technologii CIGS. Badania prowadzono w warunkach naturalnego nasłonecznienia dla różnych przypadków zacienienia oraz wygięcia rozważanego panelu. Na podstawie wykonanych pomiarów wyznaczono wartości jego wybranych parametrów elektrycznych.
W artykule zaprezentowano wybrane wyniki prac naukowo-badawczych prowadzonych w Katedrze Elektroniki Morskiej (KEM) Akademii Morskiej w Gdyni w zakresie pomiarów oraz modelowania przyrządów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu, a także przykładowych układów elektronicznych z tymi przyrządami.
W pracy zaprezentowano autorski system pomiarowy do wyznaczania parametrów termicznych przyrządów półprzewodnikowych przy wykorzystaniu metod elektrycznych. Przedstawiono koncepcję działania proponowanego systemu oraz zaprezentowano przykładowe rozwiązanie konstrukcyjne do pomiaru parametrów termicznych diod oraz tranzystorów JFET. Poprawność działania opracowanego systemu pomiarowego zweryfikowano...
W artykule poruszono problematykę modelowania w programie SPICE charakterystyk statycznych krzemowych elektroizolowanych diodowych modułów mocy. Do badań wybrano moduły zawierające diody typu PiN oraz diody typu FRED.
The paper deals with the nonlinear compact thermal model of Sil semiconductor devices, based on the Cauer network. The analylitical description of the model and the method of the model parameter estimation are presented. The accuracy and usefulness of the model is verified experimentally for the Schottky diode and MESFET transistor at their various cooling conditions.
W pracy przedstawiono oraz eksperymentalnie zweryfikowano elektrotermiczny statyczny model diody MPS z węglika krzemu, dedykowany dla programu SPICE, opracowany i udostępniany przez firmę Infineon Technologies. W celu poprawy jego dokładności zaproponowano modyfikacje wybranych zależności analitycznych występujących w modelu. Badania przeprowadzono z wykorzystaniem diody IDD04S60C.
Zestawiono i porównano parametry odbiorników DVB-T (Digital Video Broadcasting - Terrestrial), jakie zostały zapisane w specyfikacjach i porozumieniach koordynacyjnych. Skupiono się na parametrach istotnych ze względu na planowanie radiowe.
Praca dotyczy problematyki modelowania w programie SPICE wpływu temperatury na zależność pojemności złączowej diody od napięcia polaryzacji oraz charakterystyk wyłączania diod Schottky'ego mocy. Dokonano oceny dokładności modelu diody wbudowanego w tym programie przez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów krzemowej diody Schottky'ego oraz diody Schottky'ego z węglika krzemu, przeprowadzonych...
Przedstawiono mieszacz z konwersją bezpośrednią wykorzystujący technikę próbkowania. W przyjętym rozwiązaniu sygnał radiowy jest próbkowany i poddawany filtracji oraz decymacji. Czynności te zrealizowano w technologii CMOS z przełączanymi kondensatorami. Filtracja zapewnia redukcję szumów i zabezpiecza przed nakładaniem się widma powstającym w wyniku decymacji. Do ilustracji użyto sygnału w paśmie...
Praca dotyczy problematyki modelowania diod Schottky'ego z węglika krzemu (SiC), z uwzględnieniem efektów termicznych, w programie SPICE. Przedstawiono i szczegółowo opisano elektrotermiczny makromodel diody Schottky'ego SiC dla programu SPICE, opracowany przez firmę Infineon Technologies. Makromodel został zweryfikowany doświadczalnie. Zaproponowano modyfikacje poprawiające jego dokładność.
W pracy dokonano przeglądu, wytworzonych w skali laboratoryjnej, nowoczesnych struktur diod Schottky'ego z węglika krzemu. Pokazano różnorodność rozwiązań konstrukcyjnych i technologicznych, umożliwiających uzyskanie wysokich wartości napięć przebicia. Przedstawiono krótką charakterystykę każdej ze struktur, podając uzyskane wartości parametrów funkcjonalnych oraz charakterystyki prądowo-napieciowe.
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.