Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Gate-all-around (GAA) poly-Si thin-film transistors (TFTs) with multiple nanowire channels has better performance compared with planar TFT, such as lower threshold voltage , smaller subthreshold swing (SS), lower minimum current , higher maximum on/off current ratio , and higher mobility. However, each nanowire has three sharp corners to obtain high local...
GAA-MNC TFT shows higher on-current, higher mobility, steeper subthreshold swing and lower threshold voltage than CP TFT. In this letter, we study in view of PBTI and NBTI of GAA-MNC TFT. Under room temperature, the PBTI or NBTI of GAA-MNC TFT show more serious degradation than CP TFT. In order to improve reliability, we use plasma to passivate defect in the oxide/channel interface.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.