Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper we have grown catalyst-free In(Ga)N nanowires and dot-in-nanowire heterostructures on (001) and (111) silicon substrates by plasma-assisted MBE. The nanowires grow in the wurtzite structure with c-axis in the direction of growth. HRTEM data indicate that the nanowires and dot-in-nanowires are defect free. The diameter of the nanowires can be varied from 50-100nm by varying the growth...
Charge trapping and wearout characteristics of self-aligned enhancement-mode GaAs nMOSFETs with silicon interface passivation layer and HfO2 gate oxide are systematically investigated at various time scales (from micro-seconds to seconds). Unlike high-kappa on silicon devices, both bulk trapping and interface trapping affect the PBTI (positive bias temperature instability) characteristics of nMOSFETs...
Research on high-k (HfO2) materials has been expanded significantly. However, MOSFETs with high-k gate dielectrics on silicon still have several problems with relatively low mobility of high-k devices in thin EOT regime compared to the universal curve. In this work, as an alternative of silicon substrate, InP and In0.53Ga0.47As has been studied. W e present the material and electrical characteristics...
Using a thin germanium interfacial passivation layer (IPL), for the first time we present surface channel n- and p-MOSFETs on GaAs substrate with TaN gate electrodes and HfO2 dielectric films. We used self-aligned and gate-last processes to fabricate MOSFETs on semi-insulating GaAs substrate. The electrical results from the buried channel and the surface channel-mode transistors are investigated....
In this work, using Si interface passivation layer (IPL) we present the electrical characteristics of TaN/HfO2/GaAs both p-and n-MOSFET made on GaAs substrates with excellent electrical and reliability characteristics, thin EOT (~2.3-3.0nm), low frequency dispersion (< 5%) and high maximum mobility (1213 cm2/V-s) with high temperature PMA for n-MOSFET on undoped GaAs. Good inversion behavior with...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.