Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We systematically investigated the NBTI degradation of Si-channel p-type tunnel FETs (pTFETs). The NBTI degradation mechanism of pTFETs is almost the same as that of pFETs. It was clarified that the NBTI degradation of pTFETs is only caused by the trap charge and the interface state degradation located in the tunneling region near the n+ source/gate edge. Furthermore, in terms of the BTI degradation...
This paper reports the positive bias temperature instability (PBTI) characteristics for n-type fin-channel tunnel field-effect transistors (TFETs) with high-k gate stacks. The subthreshold slope (SS) is not degraded at all while the threshold voltage (Vth) shifts in the positive direction by the PBTI stress. The activation energy of ΔVth for TFETs is almost the same as FinFETs, indicating that the...
We experimentally investigated the device performance of n+- poly-Si/PVD-TiN stacked gate FinFETs with different Hfin's. It was found that mobility enhances in the tall Hfin devices due to the increased tensile stress. However, as Lg decreases, Ion for tall Hfin case becomes worse probably due to high Rsp. It was also confirmed that Vth variation increases with increasing Hfin due to the rough etcing...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.