Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report an experimental pFET with 420GHz fT, which to the best of our knowledge is the highest value reported for a silicon pFET. The transconductance is 1800uS/um. The technology is fully depleted silicon on insulator (FDSOI) with the pFET channel formed by SiGe condensation. This outstanding performance is achieved by a combination of layout and process optimization which minimizes capacitance...
The impact of scaling in advanced RF/MS-CMOS has been extensively discussed but there has not been a publication that compares the RF characteristics of 28nm high-K metal gate HKMG and PolySiON technologies fabricated in the same facility. In this work, we show that HKMG improves transistor fT and increases varactor tunning range. However, it can actually decrease fmax. We examine how process features...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.