Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A BiCMOS structure called SST-BiCMOS is proposed. In this structure, a high-performance emitter-base self-aligned bipolar technology using double polysilicon layers called SST and a submicron-gate-length lightly doped-drain MOS technology are used. This structure was used to realize high-performance BiCMOS technology with a cutoff frequency of 20 GHz, an NPN transistor, a propagation delay time of...
A CBi-CMOS IC, with complementary high-performance bipolar and CMOS on the same wafer, is reported. The structure is based on a self-aligned high-speed bipolar process called super self-aligned process technology or SST. The fabrication process is described, and its feasibility is confirmed by evaluating some devices fabricated by this technology. With a single 5-V supply, a propagation time delay...
A practical bipolar logic circuit, a three-stage frequency divider, has been made with advanced super self-aligned process technology (a halfmicron bipolar technology), which has been operated at clock frequencies up to 5.5 GHz.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.