Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The reaction processes of O2 molecule at 4H-SiC/SiO2 interface are investigated by performing electronic structure calculations within density functional theory. Our calculations demonstrate characteristic features of the reaction depending on the crystal orientation of SiC: The energy barriers of CO formation at the interface are much lower than those of C–C bond formation. This implies that the...
The microscopic mechanisms of O 2 diffusion in compressively strained high-density silicon oxides are investigated based on first-principles total-energy calculations. It is found that, both in high-density α-quartz and in α-cristobalite, the calculated incorporation energies and energy barriers increase with increase of oxide density. Independent of the structure of oxides, the calculated...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.