Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work, we for the first time study the fluctuation and interaction between interface traps (ITs) and random dopants (RDs) of 16 nm MOSFETs. Totally random devices with 2D ITs at Si/high-к oxide interface and 3D RDs inside channel are simultaneously examined using an experimentally validated 3D device simulation. Pure random ITs at Si/high-к oxide interface will increase the threshold voltage...
We study effects of interface traps (ITs) and random dopants (RDs) on 16-nm high-κ/metal gate MOSFETs. Totally random generated devices with 2D ITs at the HfO2/silicon oxide interface as well as 3D RDs inside the channel are simulated. Fluctuations of threshold voltage, on/off state current and gate capacitance of the tested devices are estimated and discussed. The results indicate the aforementioned...
The random dopant (RD)-induced threshold voltage fluctuation (σVth) was explored recently [1–4]. RD fluctuation (RDF) has been one of challenges in nano-CMOS technologies; consequently, high-к/metal gate (HKMG) approach is adopted to suppress intrinsic parameter fluctuation and leakage current for sub-45-nm generations. However, random interface traps (ITs) appearing at Si/high-к oxide interface results...
In this work, three-dimensional (3D) study on the reflectance spectrum of silicon nitride (Si3N4) sub-wavelength structure (SWS) is conducted using finite element analysis. With proper boundary conditions, the morphological effect on reflectance property of cylinder-, right circular cone, and square pyramid-shape Si3N4 SWS is discussed.
In this paper, we estimate the influences of random dopants (RDs) and interface traps (ITs) using experimentally calibrated 3D device simulation on electrical characteristics of high-κ / metal gate CMOS devices. Statistically random devices with 2D ITs between the interface of silicon and HfO2 film as well as 3D RDs inside the device channel are simulated. Fluctuations of threshold voltage and on-/off-state...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.