Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
High demand exists for low operating energy optical links that use wavelength division multiplexing technologies in datacenter networks. Thus, we fabricate a directly modulated membrane distributed-reflector laser with low operating energy on a thermally oxidized silicon (Si) substrate. Because we use epitaxial growth to bury an active region on a directly bonded InP-based membrane, it needs to be...
We have grown an active InGaAsP-6QW core layer on a thin-InP layer directly bonded to a SiO/Si substrate in order to fabricate a membrane laser. The device exhibits a 1.35-mA threshold current, a 340-wW fiber output power, and direct modulation up to 40 Gbit/s (NRZ).
We demonstrate the MOVPE growth of a high-quality InGaAsP-MQWs on an InP membrane directly bonded to a SiO2/Si substrate (InP template). PL, XRD and AFM measurements confirmed the high crystal quality of the epitaxial layers. Moreover, we fabricated a membrane DR laser using this growth method. We achieved the first demonstration of the continuous wave operation of a laser fabricated by using MQWs...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.