Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An accurate circuit level prediction model for predicting performance degradation due to negative bias temperature (NBT) stress and a device lifetime prediction method are proposed in this paper. The proposed model consists of a threshold voltage (Vth) shift and a drain current (ID) reduction models. The developed models are incorporated into a compact MOSFET model so that we can directly link the...
An accurate circuit performance prediction model and a device lifetime prediction method of negative bias temperature (NBT) stressed devices are proposed in this paper. The proposed model is constituted of a threshold voltage (Vth) shift and a drain current (ID ) reduction. The models can directly link the electrical characteristics degradation to the circuit simulation, thus enable us to design highly...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.