Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The new approach of implementing a laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) with In0.53Ga0.47As is investigated. Power device parameters such as specific on-resistance, gate charge, and breakdown voltage are examined using 2-D device simulation. Comparisons are made between In0.53Ga0.47As and Si LDMOS, showcasing the advantages of In0.53Ga0.47As LDMOS. Further ON-state analysis of the...
An n-channel In0.65Ga0.35As LDMOS with Al2O3 as gate dielectric is proposed. Power device parameters such as specific on-resistance, gate charge, and breakdown voltage are examined using two-dimensional device simulation. Comparison between In0.65Ga0.35As Si devices is made. The InGaAs LDMOS shows a 92% improvement in Ron ?? Qg over its silicon counterpart.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.