Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The expansion of cellular networks over the past decades has gone through an astonishing evolution. Due to centralized network functions, splitting of the generation/processing of RF signal in base band units (BBUs) and the baseband-RF conversion in remote radio heads (RRHs) has become inevitable. To systematically overcome the bandwidth and latency issues, a cost-efficient WDM-PON capable of linking...
Continuous-wave (CW) terahertz (THz) photomixers are fabricated using 1-D nanocontacts on low-temperature-grown (LTG) GaAs and InGaAs, for operation wavelengths of 850 nm and 1550 nm, respectively. Silver (Ag) nanowire (NW) used as the nanocontact is aligned between the antennas patterned onto these photoconductive material by dielectrophoresis (DEP) technique. Reliable photocurrent measurements for...
We present new kind of terahertz (THz) Schottky detectors based on high-doped GaAs and AlGaAs/GaAs high electron mobility transistor (HEMT) structure using silver (Ag) metallic nanowires (NWs) with different diameters as air-bridge contact between the antenna and Schottky anode. The dielectrophoresis allows a simple alignment of the NWs and fabrication of submicron anode contacts with high cut-off...
We report ultra-wide tuning of a 1550 nm BCB based high-speed MEMS-VCSEL. The MEMS is electrothermally actuated for a continuous tuning of 101 nm. Maximum output power and minimum threshold current is 3.2 mW and 2.6 mA, respectively.
There is much recent interest in atomic clocks with low power consumption, ultra-small volume, and long-term instabilities below, e.g., 10−11 over one day. Mobile satellite navigation and the synchronization of communication networks are most prominent applications. For example, miniaturized atomic clocks would be important elements for the precision time protocol (PTP), which is an approach to distribute...
With the increasing demand for high-speed optical interconnection in mobile systems like cars and airplanes, vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) offer an alternative solution to the well-established red LEDs used in media-oriented systems transport (MOST) networks based on polymer optical fiber [1]. In order to find a compromise between the need for multi-Gbit/s data rates and low system...
We present design, fabrication and operation characteristics of AlGaAs-based transceiver chips with monolithically integrated VCSELs and PIN photodetectors. Up to 7 Gbit/s data transmission over a 500m long standard multimode fiber is demonstrated.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.