Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
For telecommunications applications of highly-integrated silicon-based photonic devices, we have developed a silicon-germanium-silica monolithic photonic integration platform, on which high-performance silica-based passive devices and compact, high-speed silicon-based dynamic/active devices can be monolithically integrated.
Various photonic devices covering passive to active functions have been developed and monolithically-integrated on a silicon wire waveguide platform. State-of-art fabrication technologies and unique device designs are overcoming obstacles to practical telecommunications applications.
Various photonic devices covering passive to active functions have been developed and monolithically-integrated on a silicon wire waveguide platform. Obstacles to practical applications are being eliminated by applying state-of-art fabrication technologies and unique device designs.
We describe our recent progress in Si photonic integration technology focusing on the monolithic integration of a germanium photodetector and a silicon-wire-waveguide variable optical attenuator.
Fast optical power equalisation using a monolithic integrated germanium photodetector and a silicon variable optical attenuator on a compact silicon photonic platform is demonstrated. With an external electronic feedback circuit, the output power of the device is stabilised within a residual deviation of 2.7 dB for 22 dB input power variation. For a surge pulse, a sudden input power increase of over...
Ge p-i-n photodiodes integrated with Si variable optical attenuators exhibit low dark current of 60 nA and high responsivity of 0.85 A/W at -1 V. These Ge photodiodes have potential for monolithic integration with other Si photonic components.
Silicon photonic wire waveguides, featuring a very strong optical confinement and compatibility with silicon electronics, provide a compact photonic platform on which various passive, dynamic and active devices can be constructed.
We integrated monolithically vertical p-i-n Ge photodetectors with variable optical attenuators (VOAs) based on Si wire rib waveguides with a carrier injection structure. The fabricated Ge photodetectors have a low dark current of 60 nA and a high responsivity of 0.85 A/W at -1 V and accurately detect the change in light power due to the Si-VOA.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.