Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Thermal characterization of large multi-finger AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes (SBDs) fabricated on GaN-on-Si high voltage power substrates is reported. An accurate thermal model was developed for the device structure to estimate the device temperature near the 2-DEG in HEMT switches for various power densities. Raman thermography and infrared imaging were used under DC bias conditions for temperature...
Self-heating in AlGaN/GaN HFETs was investigated using electrical analysis and micro-Raman thermography. Two typically employed electrical methods were assessed to provide a simple means of extracting average channel temperatures in devices. To quantify the accuracy of these electrical temperature measurements, micro-Raman thermography was used to provide submicron resolution temperature information...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.