Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
With the continued expansion of the scale of wind power generation, the power quality problems due to grid connected wind farms are concerned widely. The voltage fluctuation and flicker and harmonics are main aspects of power quality problems. The fluctuation of wind farm output and grid voltage due to the random fluctuation of wind speed and inherent characteristics of wind turbines may cause flicker...
InP MISFETs with SiO2 as the gate insulator and a deep channel recess have been fabricated. At 9 GHz the highest power output with 4 dB gain was 3.5 W/mm gate width with 33% power added efficiency. This power is more than twice that of the best GaAs MESFET.
Two-dimensional electron gas FETs (TEGFETs) have been fabricated on an N-AlGaAs-GaAs heterojunction. Microwave results at 10 GHz are: NF=2.3 dB, Gass=10.3 dB and Gmax=13.2 dB. These first results obtained on nonoptimised material and processing suggest that TEGFET can be superior to a conventional GaAs FET.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.