Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Co-P films with thicknesses of 3.5 and 12.5 µm were used as metallization in Sn-Ag-Cu/Co-P ball grid array solder joints. The solder joints were annealed at 150°C up to 1000 h. The growth and mechanical properties of interfacial intermetallic compounds (IMCs) in the Sn-Ag-Cu/Co-P joints were studied, and the influence of Co-based IMCs on the shear strength of the Sn-Ag-Cu/Co-P joints was analyzed...
In order to lower Cu-Cu bonding temperature and shorten bonding time applied for 3D integration, nanostructure has been introduced on bonding Cu surface. However, few studies have been reported on Nano Particles (NPs) formation by film deposition process such as pulsed laser deposition (PLD), which would be compatible with CMOS process. In this work Ag nanostructure containing strings of NPs was formed...
The density of the packaging is recently increasing for miniaturization of the electronic system, especially 3D SiP (System in Package). Interposer is a significant research area for 3D packaging which always uses three kinds of materials including silicon, glass and organic. Currently, there are a lot of researches about silicon interposer because the CTE (Coefficient Thermal Expansion) and process...
We have fabricated Al-doped ZnO thin-film transistors (AZO TFT) on plastic substrate at room temperature. The effect of O2/Ar ratio during channel deposition is investigated on the electrical properties of the Al-doped ZnO thin-film transistors (TFTs) on plastic substrates at room temperature. As the O2/Ar ratio increases, the threshold voltage increases monotonously while the saturation mobility...
TiN diffusion barrier layers were deposited on SiO2/Si substrate by ALD method that employed TiCl4 and NH3 as the source and reactant gases, respectively, at a temperature range between 350°C and 500°C. Properties of films, including deposition rate, resistivity, surface roughness and chemical composition, were investigated, and performance of TiN diffusion barrier layer was also verified. Deposition...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.