Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper we study the effect of emission and absorption processes due to inelastic optical phonons in multigate silicon nanowire transistors. We show that low-energy optical phonons reduce drain current through both phonon emission/absorption processes while high-energy phonons redistribute current spectrum inside the nanowire merely by phonon emission process without reducing the current drive...
This work presented the analog behavior of nMOS Junctionless transistors in the temperature range of 100 K to 473 K investigated by experimental results and simulations. It has been shown that gm,max of JL present a parabolic-like dependence on temperature. On the other hand, the JL gm/IDS is nearly insensitive to temperature variations in the on state, which can be interesting for several analog...
In this paper, we report the possibility of achieving sub-kT/q subthreshold slope (i.e. lower than 59.6 mV/decade at T=300 K) without using either impact ionization or band-to-band tunneling. The device uses intraband tunneling within the conduction band through barriers whose shape varies with the applied gate voltage. Subthreshold slope as low as 56.5 mV/decade is reported at T=300 K. The VBT reported...
We present here 3D quantum simulations based on non-equilibrium Green's function (NEGF) formalism using the Comsol Multiphysicstrade software and on the implementation of a new fast coupled mode-space (FCMS) approach. The FCMS algorithm allows one to simulate transport in nanostructures presenting discontinuities, as the normal coupled mode-space (CMS) algorithm does, but with the speed of a fast...
Ultra-scaled Z-RAM cells based on MuGFETs are demonstrated for the first time. Effects of physical parameters such as channel doping concentration, fin width, and gate length on Z-RAM cell performance are discussed. Transient measurements and simulations prove that the basic operational principles are effective on Z-RAM cells with a gate length down to 12.5 nm.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.