Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Two-dimensional (2D) materials with innate thinness exhibit unique electronic properties different from their bulk form could open up new opportunities in a diverse electronics and photonics field. To integrate 2D layered materials for scalable manufacturing, large-area synthesis to produce high quality film with precise control of thickness and uniformity is necessary. This work reported the first...
We report the demonstration of germanium–tin (GeSn) p-channel tunneling field-effect transistor (p-TFET) with good device performance in terms of on-state current . With the incorporation of Sn, the conduction band minima at -point of GeSn alloy shift down, increasing the direct band-to-band tunneling (BTBT) generation rate at the source-channel tunneling junction in TFET. In addition,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.