Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We describe here a new technology, dislocation engineering, and in particular how this approach, when incorporated appropriately in to a p–n junction, can add the new functionality of efficient electroluminescence at room temperature from silicon-based light emitting devices. Simple (undoped) silicon devices emit at 1.15μm, at the Si band gap energy. In this paper, we show how emission at other wavelengths,...
Efficient silicon-based light emitting diodes have been fabricated using the dislocation engineering method. Crucially this technique uses entirely conventional ULSI processes. The devices were fabricated by conventional low-energy boron implantation into silicon substrates followed by high-temperature annealing, and strong silicon band edge luminescence was observed. Dislocation engineering is also...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.