Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We fabricated 25-Gb/s silicon modulators with side-wall gratings on a 300-mm wafer. They exhibited high modulation efficiency of VπL = 0.274 V-cm at 12.5 GHz in forward-biased mode. Equivalent-circuit parameters showed good in-wafer uniformity for stable frequency-compensated operations.
We developed a pin-diode silicon microring modulator that used side-wall grating waveguides. Modulator exhibits 0.28- V·cm-VπL at 25 GHz in forward-biased operation mode. We achieved 50-Gb/s operation at a driving voltage of 1.96 volts-peak-to-peak (Vpp).
A silicon Mach-Zehnder modulator, which has side-wall-grating waveguide, is investigated. Using the fabricated device, 12.5-Gb/s operation was demonstrated. A modulation efficiency (VπL) of 0.29 V·cm was determined from the measured extinction ratio.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.