Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A ferroelectric BaxSr1−xTiO3 (BSTO) thin film structure on a diamond substrate was developed for the first time to reduce an overheating in high power microwave applications. The BSTO/SiC/Diamond structure was produced by ion-plasma rf magnetron deposition technique with a silicon carbide (SiC) layer as a buffer to compensate the thermal expansion difference between the BSTO film and the diamond substrate...
BZT and BTS thin films were fabricated in-situ by RF magnetron on Pt/Ti/Al2O3 substrate (r-cut) in oxygen atmosphere. All films with thickness 400 to 500 nm were crystallized in perovskite phase. For the electrical studies the sandwich capacitors were fabricated based on BZT and BTS films. Tunability at 20 V reached 3.5 with dielectric losses as 0.03 at 2 GHz.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.