Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Growth of III-V nitrides by molecular beam epitaxy (MBE) is being studied at NCSU using an r.f. nitrogen plasma source. GaN/SiC substrates consisting of ∼ 3 μm thick GaN buffer layers grown on 6H-SiC wafers by MOVPE at Cree Research Inc. are being used as substrates in the MBE film growth experiments. The MBE-grown GaN films exhibit excellent structural and optical properties--comparable to the...