Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Various designs of AlGaN/GaN structures displaying intersubband absorption in the THz spectral range are reported upon. Firstly, samples with 3‐layer quantum wells (step‐quantum‐wells) displaying far‐infrared intersubband absorption are presented. Theoretical analysis of the reproducibility issues associated to this architecture is done, and a more robust design based on 4‐layer quantum wells is proposed...
III‐nitride nanostructures have recently emerged as promising materials for new intersubband (ISB) technologies in a wide variety of applications. These ISB technologies rely on infrared optical transitions occurring between quantum‐confined electronic states in the conduction band of GaN/Al(Ga)N nanostructures, namely quantum wells or quantum dots. When producing optoelectronic devices at the nanoscale,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.