Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Channel engineering is an effective way to suppress the random-dopant-induced characteristic fluctuation in nanometer-scale MOSFET devices. In this work, we study the effect of random dopants on characteristic fluctuations in 16-nm-gate lateral asymmetric channel (LAC) MOSFET devices. Devices with high channel doping concentration near the drain-end (the so-called inverse LAC; inLAC) can effectively...
As the dimensions of semiconductor devices continue to be reduced, device fluctuations have become critical to determining the accuracy of timing in circuits and systems. This brief studies the discrete-dopant-induced timing characteristic fluctuations in 16-nm-gate complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) circuits using a 3-D ldquoatomisticrdquo coupled device-circuit simulation. The accuracy...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.