Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The micro-structure of GaAs HEMT build-in cantilevers-mass was designed and fabricated. GaAs HEMTs were embeded at the root of cantilevers for increasing the sensitivity to external force. In our experiments, it has been proved that the sensitivity of GaAs HEMT is higher than that of silicon by the Mechanical-Electrical coupling characteristics. The magnitude of the external force was then calculated...
A novel nano electro mechanical system (NEMS) accelerated sensor was presented in this paper. The accelerated sensor is based on piezo-resistive effect of GaAs/AlAs/InGaAs pseudomorph-high electron mobility transistor (PHEMT). Piezo-resistive effect of field effect transistor (FET) is analyzed, the structure of the sensor and its sensitive element are designed, and process is introduced. Abecedarian...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.