Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Exposing the feasible annealing temperature to the high-k dielectric after deposition as gate oxide is very important to increase the capability of dielectric against the leakage and the increase of high-k value. The study does not only focus on the quality of high-k dielectric, but the reliability concern. Using the voltage stress, the recovery of gate dielectric with tested samples under different...
The object of our research is to compare PSP and BSIM4 model parameters for MOSFETs before and after hot-carrier stress. The first part is using MBP software to extract the parameters of 65 nm node MOSFETs with and without hot-carriers stress. Then, comparison of MOSFET parameters based on PSP and BSIM4 models is executed. We conclude that the PSP model is more accurate than BSIM4 model.
The narrow-width W effect of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with shallow trench isolation technology has been widely reported. The factor of most concern is the edge width Δw affecting the electrical characteristics of the MOSFETs. In this letter, the negative variation value of Δw, as explained in the content, was derived from 65-nm node p-channel MOSFETs (pMOSFETs)...
In this paper, the potentials of the current state-of-the-art electronics and packaging technologies for Venus missions is evaluated and intend to address the survivability and reliability of the selected technologies and develop design-for-reliability guidelines for mission integration.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.