Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An analytical model for the thin-film silicon-on-insulator pin-diode leakage current is presented. Particularly the back-gate potential influence on the leakage current is addressed. The two-dimensional Poisson equation is simplified and then solved including the influence of the back-gate potential. Subsequently the analytical model is verified by comparison with numerical simulation and measurements...
We investigated the leakage current of thin film silicon-on-insulator (SOI) pin-diodes in dependence of the back-gate potential and hot carrier induced traps. Leakage current of virgin and hot-carrier stressed diodes was measured at distinct back-gate potentials. TCAD simulations were used to determine the mechanisms of leakage current generation at specific back-gate potentials. Traps were introduced...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.