Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report on the lateral scaling of true planar InAs/AlSb high electron mobility transistors (HEMTs) based on ion implantation for device isolation. When reducing the source drain distance, dsd, from 2.5 µm to 1 µm, the HEMTs showed up to 56% higher maximum drain current, 23% higher peak transconductance and ƒT of 185 GHz (+32%). A trade-off in the lateral scaling is needed due to increased gate leakage...
A cryogenic wideband 4–8 GHz hybrid low-noise amplifier, based on a 110 nm gate length InAs/AlSb HEMT process is presented. At room temperature the three-stage amplifier exhibited a transducer gain of 29 dB and a noise temperature of 150 K with 17.6 mW power consumption. When cooled to 13 K, the amplifier showed a minimum noise temperature of 19 K at a power consumption of 6 mW (66% reduction compared...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.