Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A new vertical cylindrical cell with 25nm diameter bi layer poly-silicon channel for 3D NAND Flash memory is successfully developed. It achieves minimum cell area (4F2) without the need for pipeline connections. We introduced a thin amorphous silicon layer along with the oxide-nitride-oxide (ONO) gate stack inside the memory hole. This additional silicon layer protects the tunnel oxide during opening...
This paper presents a study on the effectiveness of strained contact-etch-stop-layer (CESL) technologies in aggressively scaled dense structures. The focus is on nested transistors, which is a technologically very important structure that consists of a chain of gates on one active area. It will be shown that the two main channel stress components introduced by CESL, which are the vertical and parallel...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.