Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents the development of high-gain, wide-bandwidth, W-band LNA integrated circuits utilizing a novel 0.25 μm InP/Si BiCMOS process with Ft/Fmax of 330/270 GHz. A 4-stage microstrip LNA achieves a minimum NF of 5.7 dB at 92 GHz and remains less than 7.2 dB (6.4 dB avg.) across a 75–100 GHz bandwidth. The LNA also exhibits a peak gain of 27.7 dB, a 3-dB bandwidth of 18 GHz (80–98 GHz),...
This paper reports on the successful demonstration of radio frequency (RF) components in support of an integrated wide band/high dynamic range X-band receiver in 180-nm fully-depleted (FD) SOI CMOS technology. The demonstrated microwave monolithic integrated circuit (MMIC) includes an X-band low noise amplifier (LNA), Marchand balun, balanced amplifiers, double balanced mixer, non-reflective filter,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.