Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Results of a numeral calculation of superficial currents are brought in conducting films at diffraction of the electromagnetic fields on metal dielectric structures in a waveguide.
Results of estimated calculations of energy and time necessary for fusion of a metal film of the metal-dielectric structure under influence of powerful electromagnetic fields are resulted.
On the basis of numerically-analytical model of influence of powerful electromagnetic fields on film metal-dielectric structures are obtained distributions of currents of displacement and conductivity.
The article contains results of research of influence of bias current on Schotki FET resistibility in pulse electromagnetic fields. The basic relations used for direct calculation of bias current in FET model GaAs are given.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.