Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Heterostructure microwave beam lead p-i-n diodes are developed. Parameters of diodes were measured in a frequency range from 0.1 to 40 GHz. Insertion loss does not exceed 0.35 dB (I=10 mA). The diode capacitance was 30 fF. It is shown that diodes intensively radiate light with wave-lengths of 900-910 nanometers.
The paper presents the design and performance of broadband monolithic GaAs p-i-n diode limiter. MIC has low-signal insertion loss. The leakage power of the limiter is about 16.5 dBm and it can handle CW power level up to 37 dBm.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.