Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The high breakdown voltage AlGaN/GaN HEMTs with source-terminated field plate was firstly fabricated for high frequency and high power application, employing by CF4 plasma treatment for enhancement-mode (E-mode). The results showed that by adding the distance of gate to drain, LGD from 5 um to 15um, the breakdown voltage of the device was rapidly increased 350V, whose value is from 50V to 400V while...
The AlGaN/GaN HEMTs with source-terminated field plate was firstly fabricated, employing by CF4 plasma treatment for enhancement-mode (E-mode). The results showed that by adding LGD from 5 um to 15 um, the breakdown voltage of the device was rapidly increased 350 V, whose value is from 50 V to 400 V while the threshold voltage of the device, VTH stayed about 0.5 V by the technology of CF4 plasma modulating...
The lateral field effect rectifier (L-FER) on AlGaN/GaN heterostructure on silicon substrate compatible with the HEMT process has been characterized for high temperature operation (up to 250 degC). The proposed rectifier takes advantage of adjusting the forward-on voltage to a slightly positive value by fluorine plasma treatment. The temperature dependences of the forward-on voltage and the on-resistance...
In conclusion, an AlGaN/GaN HEMT-compatible lateral field-effect rectifier is demonstrated by utilizing the threshold-voltage controlling capability of the fluorine plasma treatment technique. The rectifier features low on-resistance, low turn-on voltage, high temperature operation and high reverse breakdown voltage. The rectifier is expected to exhibit fast reverse recovery time because of its unipolar...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.