Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report a 500nm graphene field-effect transistor operating at the Dirac point for frequency doubling with maximum output power of −23dBm and a record bandwidth of 3GHz, 2× higher than the state-of-the-art. The experimental device exceeds its ft and fmax by about 50%. Contact resistance degrades the performance of the experimental GFET. In the limit of negligible non-idealities and maximum gate capacitance,...
The exceptional electronic properties of graphene field-effect transistors (GFETs) make them a promising replacement for conventional Si CMOS transistors for high frequency analog applications. Radio frequency GFETs with intrinsic cut-off frequencies as high as 300GHz have been reported [1], with theoretically predicted THz frequencies only being limited by fabrication challenges. A major factor responsible...
We demonstrate a 500-nm graphene frequency doubler with a record 3-GHz bandwidth, exceeding the device transit frequency by 50%, a previously unobserved result in graphene, indicating that graphene multiplier devices might be useful beyond their transit frequency. The maximum conversion gain of graphene ambipolar frequency doublers is determined to approach a near lossless value in the quantum capacitance...
Graphene nanoelectronics have made significant progress over the past five years particularly in material synthesis, device physics, and circuit applications. The high achievable mobilities at room temperature coupled with its high linearity (or invariant-transconductance) [1], and transit frequencies that exceed conventional solid-state transistors (see Fig. 1) make it ideally suited for GHz and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.