Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper reports neutron-induced MCU (Multiple Cell Upset) measured in 0.4-V 65-nm 10T SRAM at two incident angles of 0 ° and 60 °. The measurement results show that the ratio of the number of measured MCUs at the angles of 60° to that at 0° is 1.13 in 0.4-V operation, while the ratio of neutrons radiated to the test chip was 50% at 60° . The spatial MCU patterns measured at 60° indicate that forward...
NAND flash memories are now indispensable for our modern lives. The application range of the storage memory devices began with digital still cameras and has been extended to USB memories, memory cards, MP3 players, cell phones including smart phones, netbooks, and so on. This is because higher storage capacity and lower cost are realized through means of technology scaling every year. Emerging markets,...
This paper proposes a high-level design method of multiple-valued arithmetic circuits. The proposed method uses a cell-based approach with a dedicated hardware description language called ARITH. By using ARITH, we can describe and verify any binary/multiple-valued arithmetic circuits in a formal manner. The ARITH description can be transformed into a technology-dependent netlist in binary/multiple-valued...
A AAC-decoding, H.264 decoding, media processor with embedded forward-body-biasing and power-gating circuit in CMOS technology is proposed. Since all the components necessary for the scheme are simple MOS circuits requiring no extra supply voltages, they can be placed and routed by a commercial CAD tool. A data-mapping flip-flop was proposed as a high performance and low-power flip-flop. It is concluded...
Fabricated in 56nm CMOS technology, an 8Gb multi-level NAND Flash memory occupies 98.8mm2, with a memory cell size of 0.0075mum/b. The 10MB/s programming and 93ms block copy are also realized by introducing 8kB page, noise-cancellation circuits, external page copy and the dual VDD scheme enabling efficient use of 1MB blocks
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.