Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Experiments and modeling have been used to investigate the transport in vertical spin coated TIPS-pentacene layers used in rectifying diodes. It has been shown that the vertical transport properties are not as good as the longitudinal one, due to the particular nature of the polycrystalline film obtained by this process.
A simple threshold voltage model of an undoped symmetrical double-gate MOSFET has been developed, based on an analytical solution of Poisson's equation for the potential distribution. The model has been verified by comparing the threshold voltage roll-off with the channel length with simulation results for different silicon thicknesses, gate oxide thicknesses, and drain voltage values. Good agreement...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.