Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper discusses the possibility of future large scale integration (LSI) of multi-gate device. FinFET is thought to he the most promising multi-gate device for LSI, because it easily realizes the self-aligned double-gate structure. At first, the feasibility of SRAM operation with FinFET in hp22 nm node is studied by simulation in terms of Vt fluctuation control. Next, it is demonstrated that FinFET...
This paper discusses the possibility of future large scale integration (LSI) of multi-gate device. FinFET is thought to be the most promising multi-gate device for LSI, because it easily realizes the self-aligned double-gate structure. At first, the feasibility of SRAM operation with FinFET in hp22 nm node is studied by simulation in terms of Vt fluctuation control. Next, it is demonstrated that FinFET...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.