Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Effects of a stressor nitride layer on device performance and reliability are investigated. To decouple intrinsic mechanical stress and process-related effects, device characteristics under mechanical bending stress and stressor layers were compared. The compressive stressor device exhibits improved initial interface quality, although slightly degraded reliability characteristics, due to increased...
Due to the increased physical dielectric thickness and reduced gate leakage in metal-gate/high-k devices, degradation caused by channel hot carriers (HCs) becomes more significant than positive bias temperature stress. In an analysis of metal-gate/high-k devices, accelerated channel HCs were found to induce permanent interface damage. Moreover, the overall threshold voltage shifts caused by HC stress...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.