Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, fabrication of the dual channel CMOS devices based on the Ge-condensation technique is demonstrated as well as their mobility and current drive enhancements. Ge-rich strained SGOI pMOSFETs were integrated with strained Si/SGOI nMOSFETs by a CMOS process combined with the Ge condensation process, in which the strain in the SGOI layers were properly controlled. As a result, significant...
In this paper, the origin of p-n junction leakage current in s-Si/SGOI diodes is investigated. It is found that generation current by bulk trap is dominant in the s-Si/SGOI p-n junction leakage current compared to diffusion current and generation current by oxide interface state and that the calculated leakage current is low enough even in Ge-on-insulator (GOI) channels at hp45 nm technology node
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.