Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, for the first time we demonstrate that horizontally stacked gate-all-around (GAA) Nanosheet structure is a good candidate for the replacement of FinFET at the 5nm technology node and beyond. It offers increased Weff per active footprint and better performance compared to FinFET, and with a less complex patterning strategy, leveraging EUV lithography. Good electrostatics are reported...
We present a 7nm technology with the tightest contacted poly pitch (CPP) of 44/48nm and metallization pitch of 36nm ever reported in FinFET technology. To overcome optical lithography limits, Extreme Ultraviolet Lithography (EUV) has been introduced for multiple critical levels for the first time. Dual strained channels have been also implemented to enhance mobility for high performance applications.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.