Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We developed V-groove trench gate SiC MOSFETs with grounded buried p+ regions. An effective reduction in the feedback capacitance (Crss) and a fast switching performance are achieved. The grounded buried p+ regions are found to be an effective structure for reducing a switching loss.
Using fear-conditioning model, we have used a 3-s auditory conditioned stimulus (CS) as a stressor and observed fear and stress responses during a specific experimental period regardless of the presence or absence of the CS. Because the CS was extremely short compared with the experimental period, we observed responses primarily in the absence of the CS. In contrast, most studies in the literature...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.