Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The distributed oxide trap model based on tunneling of carriers from the semiconductor surface is unified with the two-band Shockley–Read–Hall type of capture and emission model for interface states. The new model explains the often observed upturn of MOS conductance at high frequencies when biased in inversion. The unified two-band model fully covers both types of charge traps in all MOS bias regions.
A new type of parallel-coupled microstrip filter is proposed to have wide-band performance and suppress the second harmonic response. The proposed filters are constructed with using floating plate overlays to enhance the coupling between microstrip lines, and compensate the difference in phase velocity under even- and odd-mode excitations. The synthesis method is well developed and the design curves...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.