Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work, we report a feasible compact solution to enhance the dynamic performance of GaN-on-Si power devices by integrating a photon source into the drain terminal of a heterojunction field-effect transistor (FET). Photons can be generated from the photonic-ohmic drain (POD) synchronously with turning on of the channel current. These on-chip generated photons can optically pump the electron traps,...
In this work, static and dynamic characteristics of an AlGaN/GaN-on-Si power field-effect transistor (FET) with the integrated photonic-ohmic drain (POD) were systematically investigated. With the photon generation and channel current inherently switched ON and OFF in synchronization, dynamic performances (e.g. dynamic ON-resistance) of the PODFET can be significantly enhanced owing to photon pumping...
In this letter, 600-V normally-OFF /AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor (MIS-HEMT) is reported. Normally-OFF operation and low OFF-state gate leakage are obtained by using fluorine plasma ion implantation in conjunction with the adoption of a 17-nm thin film grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition as the gate insulator. The...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.