Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The dry ice blasting has demonstrated effective cleaning of Si by removal of contaminants and native oxide. The C-V and I-V characteristics of a MOS capacitor fabricated on the dry ice-cleaned Si are as good as those of a MOS capacitor fabricated on RCA-cleaned Si. This result suggests that the dry ice blasting can be used to clean Si wafers as a promising dry process in the Si VLSI technology.
The SiOx thin film with a thickness of about 1 mum was formed on a GaAs substrate by bar-coating with the organic solution of the SiOx nanoparticles (~40 nm). The as-formed SiOx thin film consists of the SiOx nanoparticles; thus the thin film is macroscopically discontinuous and is referred to as a nanoparticle thin film. Although there were no silicon (Si) nanocrystals in the as-formed SiOx nanoparticle...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.