Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this study, the comparison of methods of improving electro-physical properties of silicon dioxide (SiO2) by means of silicon substrates fluorination in CF4 in PECVD and RIE reactors, prior to oxide deposition, has been performed. The results proved that, in general, fluorination in RIE is superior to the fluorination in PECVD reactor. The observed effects have been referred to the obtained changes...
W pracy przedstawiono analizę zmian parametrów elektrycznych i niezawodnościowych, jakie wprowadza obecność bogatej we fluor warstwy w strukturze bramkowej układu MOS (MIS] z dielektrykami bramkowymi wytwarzanymi metodą PECVD. Powierzchnia podłoży krzemowych przed wykonaniem struktur testowych poddana została odmiennie, niż spotyka się to najczęściej w literaturze, procesom ultra-płytkiej implantacji...
This study describes the effects of high temperature annealing performed on structures fluorinated during initial silicon dioxide reactive ion etching (RIE) process in CF4 plasma prior to the plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of the final oxide. The obtained results show that fluorine incorporated at the PECVD oxide/Si interface during RIE is very stable even at high temperatures...
This study describes a novel technique to form good quality low temperature oxide (< 350 C degree). Low temperature oxide was formed by N2O + SiH4:N2 plasma in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) system on the silicon surface reactively etched in CF4 plasma (RIE - reactive ion etching). The fabricated oxide demonstrated excellent (for low temperature dielectric formation process)...
W artykule przedstawiona zostanie nowa metoda szacowania energii jonów i rozkładu ich gęstości w plazmie, podczas procesu trawienia plazmowego RIE w plazmie CF4. Metoda ta łączy w sobie eksperyment technologiczny z komputerowo przeprowadzoną symulacją procesu implantacji. W celu oszacowania energii jonów fluoru i rozkładu ich gęstości w plazmie, kształt profilu rozkładu jonów fluoru otrzymany z pomiaru...
W pracy przedstawiono nową strukturę bramkową, złożoną z dwóch warstw dielektryka bramkowego - tlenko-azotku krzemu (SiOxNy) oraz dwutlenku hafnu (HfO2), która mogłaby być wykorzystana w strukturach nieulotnych pamięci półprzewodnikowych (NVSM). Struktury MIS z SiOxNy wykazują duże zmiany napięcia płaskich pasm (ok. 1,68 V), natomiast maksymalny ładunek możliwy do zmagazynowania wynosi ok. 6⋅1012[cm...
Experiments presented in this work are a part of an extended study that examines the possibility of fabrication of oxynitride layers for future Si and SiC MOS structures by nitrogen implantation from RF plasma and subsequent plasma oxidation process. In order to avoid analysis of more complex SiC MOS devices, at this stage, the experiments were performed using silicon substrates. The obtained layers...
This work reports on changes in the properties of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers after high- temperature treatment. Possible changes in the structure, composition and electrophysical properties were investigated by means of spectroscopic ellipsometry, XPS, SIMS and electrical characterization methods (C-V, I-V and charge- pumping). The XPS measurements show that SiOxNy is the dominant...
This paper reports on the studies of oxidation kinetics of silicon strained by silicon germanium layers. Experimental results of natural, chemical and thermal oxide formation are presented. The oxidation rates of silicon strained by SiGe layers have been compared with the rates of pure Si oxidation. The oxidation kinetics was studied using the parallel model proposed by Beck and Majkusiak. This model...
The goal of this work was to study nitrogen implantation from plasma with the aim of applying it in dual gate oxide technology and to examine the influence of the rf power of plasma and that of oxidation type. The obtained structures were examined by means of ellipsometry, SIMS and electrical characterization methods.
We have investigated the influence of silicon dioxide reactive ion etching (RIE) parameters on the composition of the polymer layer that is formed during this process on top of the etched layer, and finally, the role of this layer in high-temperature thermal diffusion of boron into silicon. The polymeric layer formed on the etched surface appeared to consist of fluorine and silicon fluoride (SiOF...
In this paper differences in chemical composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated in planar rf plasma reactor are studied. The ultra-thin dielectric layers were obtained in the same reactor by two different methods: ultrashallow nitrogen implantation followed by plasma oxidation and plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). Chemical composition of silicon oxynitride layers...
Experiments presented in this work are a summary of the study that examines the possibility of fabrication of oxynitride layers for Si structures by nitrogen implantation from rf plasma only or nitrogen implantation from rf plasma followed immediately by plasma oxidation process. The obtained layers were characterized by means of: ellipsometry, XPS and ULE-SIMS. The results of electrical characterization...
Przedstawiono korzystne właściwości materiałowe krzemogermanu oraz jego zastosowanie w przyrządach półprzewodnikowych, takich jak tranzystor bipolarny (baza) oraz tranzystor MOS.
Przedstawione w pracy eksperymenty są częścią szerszych studiów mających na celu zbadanie możliwości zastosowania jednocześnie obu etapów wytwarzania warstwy dielektrycznej, np. ultrapłytkiej implantacji jonów azotu i utleniania w jednym stanowisku technologicznym.
The radiation damage caused by low energy r.f. plasmas has not been, to our knowledge, studied so far in the case of symmetric planar plasma reactors that are usually used for PECVD processes. The reason is that, unlike nonsymmetrical RIE reactors, such geometry prevents, basically, high-energy ion bombardment of the substrate. In this work, we present the results of experiments in which we have studied...
Przedstawiono sprzęt i oprogramowanie sterownika pieca do wieloetapowych procesów technologicznych stosowanych przy wytwarzaniu struktur półprzewodnikowych. Sterownik zaprojektowano w Instytucie Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej.
The aim of this work is the experimental study of potential possibilities of oxidation in r.f. (13.56 MHz) plasma application for the formation of ultrathin (<10 nm) oxide layers.
W artykule przedstawiono wpływ redukcji grubości tlenku bramkowego w przyrządach MOS na ich działania, wytwarzanie oraz charakteryzację. Przedyskutowano także zalety rozwiązania polegającego na zastąpieniu SiO2materiałem o wyższej przenikalności elektrycznej w formie dielektryku pojedynczego lub podwójnego.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.