Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In SONOS 3D NAND, if the string select transistor (SST) and the ground select transistor (GST) use memory cell's trapping dielectric as their gate dielectrics, they could suffer abnormal Vt shift due to unwanted charge injection during programming/erasing (P/E). To solve this, we remove the blocking oxide and the trapping nitride, and use the BE-SONOS' ONO tunneling dielectric and an additional LPCVD...
We report for the first time a fast initial charge loss (within 1 sec) in charge-trapping (CT) NAND devices. Using a fast-response pulse I-V system retention transients from μsec to sec are characterized and the correlation with programmed states Vt distribution in various NAND Flash test chips is examined. We clarify that the impacts of fast initial charge loss are: (1) it produces a programmed state...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.