Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this brief, threshold voltage mismatch of fully integrated n-type FinFETs based on a gate-first process was studied experimentally. Significantly improved threshold voltage mismatch due to undoped FIN body was confirmed with the experimental data. By comparing mismatch values of thin- and thick-oxide nMOS, we found that factors, which do not scale with gate oxide thickness, including line edge...
The nature of FinFET devices prohibits continuous width scaling and introduces a digitization of device width. As a consequence, devices are comprised of arrays of Fins ranging from one (SRAM) to a few tens of Fins. This introduces an intrinsic variation in the device that is absent in conventional planar devices. To build a reliable circuit, model parameters have to be provided that take account...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.