Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Graphene might become an ultimate medium for sensing applications, enabling gas and vapor detection with high sensitivity. However, changes in graphene resistivity under the gas exposure might be quite similar for different gases, making the sensing selectivity to be one of the key barriers to overcome. In this paper, we report on using low frequency noise to define the new characteristic parameters,...
The low-frequency 1/f noise in graphene transistors has been studied extensively owing to the proposed graphene applications in analog devices and communication systems [1–5]. The studies were motivated by the fact that the low-frequency noise can be up-converted by device nonlinearity and contribute to the phase noise of the system. Similarly, the sensor sensitivity is often limited by the electronic...
The low frequency noise has been studied in mechanically exfoliated single- and bilayer graphene deposited on Si/SiO2 substrates. Measurements were performed in 2- and 4-probe configuration schemes. The analysis of the gate voltage dependences of noise showed that noise in graphene transistors does not comply with the McWhorter model. Aging of graphene transistors due to exposure to ambient resulted...
Low frequency noise in virgin (not aged) graphene transistors might be relatively low (comparable to average Si MOSFETs), at least for high quality devices with the bottom gate configuration. Graphene channels are the dominant sources of noise, even though the contact resistances have an important effect on the noise magnitude due to the voltage re-distribution between the contacts and the channel...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.